钨钛溅射靶材

钨钛溅射靶材

钨的高原子量、钛的高耐腐蚀性、极好的不同表面附着力,再加上这些材料的溶解度都使钨钛(WTi)成为用于防止外来原子扩散的致密层的理想解决方案。

这就是在芯片制造的金属化工艺过程中,含10%钛的钨钛合金常用做扩散阻挡层和粘结层的原因。在这一应用领域,钨钛合金将半导体和金属化层分离,例如铝、硅或铜、硅。

在柔性薄膜太阳能电池(CIGS)中,钨钛阻挡层能够防止在钢基体中的铁原子通过钼背接触扩散到CIGS半导体。

为什么会如此重要?因为如果没有扩散障碍,铜与硅会形成能够显著降低半导体芯片功能的金属间相。而这仅需半导体中几百万铁中的一小部分就能显著降低CIGS太阳能电池的效率。您可以点击“钢基体CIGS薄膜太阳能电池”了解更多。

下面两个图表分别说明了CIGS太阳能电池(左)和半导体金属倒装芯片(右)的结构。在这两种情况下,钨钛层被用于半导体或金属化层需要从其他层可靠地分的地方,需要为随后的层提供具有良好粘附性的基板。

钨钛层应用实例

钨钛层采用PVD溅射技术沉积。我们提供溅射靶材作为起始物料。我们的材料具有高密度、高纯度和均匀的相组成。我们处理生产过程中的每个阶段,并监控从元素粉末到成品的所有步骤。这意味着,我们能够长期持续地保证高质量。

攀时钨钛:性能一览
密度 ≥ 98 %
纯度 > 99.95 %
钛含量10 wt.%
钛分布均匀性± 0.5 %
微观结构 细晶粒, < 50 µm

攀时提供各种不同尺寸的钨钛溅射靶。我们不仅仅提供钨钛平面靶;我们也是第一家生产全致密旋转靶的制造商。我们的钨钛靶含钛量达10 wt.%

微观结构
钨钛靶材微观结构(扫描电镜图像×200)
物相分析
钨钛靶材物相分析
红色:富钛相,绿色:富钨相
表面微观结构
钨钛溅射层表面微观结构
(扫描电镜图像×50,000)

下面的图表显示了直径为100mm、氩气压力为5x10-3 mbar的靶材
溅射功率时的钨钛沉积速率。

钨钛图表

攀时钨钛靶的高密度与纯度有助于减少喷涂过程中粒子的形成,这是实现高质量薄膜的关键因素。下面的科学论文研究了粒子的形成和目标特性之间的关系:

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Paul Rudnik