用于高功率半导体器件的高性能原片

攀时的钨钼产品使得功率二极管、晶闸管和晶体管等器件始终处于极佳的散热状态。攀时的原片采用高纯度材料制成,具有优异的导热率和导电率,因此能够有效地散发有源器件产生的热量。

电力电子器件的金属原片

避免应力

半导体材料和衬底间产生的机械应力可能会损害产品的功能。攀时衬底的热膨胀系数与半导体材料相似。从而确保了部件的高度耐用性。对于材料涂层,我们采用了确保出色材料纯度以及极端均匀涂层的PVD工艺。并因此避免了半导体和衬底之间的反向电压。

经过涂层工艺后,我们的衬底无比洁净。为了让它们能够保持这一特点,我们在自有的无尘室内进行单个包装。保证无颗粒衬底为您带来而利益。

定制原片

攀时每天都在为客户定制产品。若贵公司愿意提供合作机会,我们将证明您的选择是非常明智的——从最初的样品试生产到大规模量产,我们将提供全方位的支持。攀时的原片质量值得您信赖:

纯度 [%] 99.97 99.97
热膨胀系数(20℃ 时)[ppm/K] 5.2 4.2
导电率(20℃ 时)[1/(Ωm)] 17.9 · 106 18.0 · 106
电阻(20℃ 时)[(Ωmm2)/m] 0.056 0.050
导热性(20 °C时)
[W/(m·K)]
142 164
半导体原片

按需选用各种高性能涂层。

攀时供应带有钌、镍、铬、银、金等镀膜的钨钼原片。这些金属材料具有优异的抗氧化性能,并可改善电接触特性。极佳的接着性使它们能在原片和半导体之间形成良好化合。 攀时采用物理气相沉积法(PVD)来进行镀膜,以确保超高的材料纯度和极佳的膜层均匀性。若客户需要,我们也供应电镀涂层原片。

涂层半导体原片

独家供应商,顶级品质

从原材料至成品,我们在内部自主生产散热产品。包括新材料的开发等各产品制造阶段均由我们的自有工厂完成。

氧化物
还原
混合
炼制合金
我们将金属粉末与粉末混合,在高达2吨/平方厘米压力(每平方厘米2吨)下压制成一个“生坯”。当需要生产特别苛刻的几何形状的成品时,我们会确保“生坯”在压制阶段形成适当的形状。
压制
压制
成形

处理
机械
处理
焊合
质量
保证
回收利用

无论您有何种需求—我们均能满足

钼和钨原片的常见尺寸:

圆形钼原片
厚度: 0.1 mm ≥ 7.0 mm
直径: 2.5 mm ≥ 150.0 mm

圆形钨原片
厚度: 0.4 mm ≥ 7.0 mm
直径: 2.5 mm ≥ 150.0 mm

矩形钼原片
厚度: 0.1 mm ≥ 5,0 mm
长度: 1.0 mm ≥ 70.0 mm
宽度: 0.2 mm ≥ 10.0 mm

矩形钨原片
厚度:0.4 mm ≥ 5.0 mm
长度:1.0 mm ≥ 70.0 mm
宽度:0.2 mm ≥ 10.0 mm

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