由钼和钼铜材料制成的晶圆衬底

若使LED灯具有耐用性,需配装可靠的坚固部件。凭借我们的钼和MoCu晶片衬底,LED芯片的使用寿命可轻松达到10万个小时的运行时间。

LED芯片衬底

LED芯片中的半导体层可将电流转化为光。半导体层由电子区(N型掺杂)和空穴区(P型掺杂)组成。电流通过半导体层,电子与空穴结合,以光子形式发出光。剩余能量以热辐射形式释放。

未来的LED亮度更高,工作温度随之也会上升。攀时针对不同的需求采用不同材料提供最佳的散热解决方案。例如基于蓝宝石或硅基衬底的LED垂直结构芯片,我们供应钼晶圆衬底;又如我们专门为蓝宝石LED芯片而研发的钼铜复合材料。

晶圆衬底与LED芯片的半导体层键合,温度可达800 ℃。攀时专门为蓝宝石LED研制出名为R670的钼铜复合材料,R670能够应对键合工艺的高温以及LED对散热的长期需求。这种材料因为与Al2O3具有相同的热膨胀系数,故而得名。Al2O3是LED芯片中蓝宝石衬底和陶瓷基座的成分,正因为R670,蓝宝石衬底以及陶瓷底板三者的热膨胀性一致,从而避免了半导体层和键合层出现应热应力释放不均而导致的缺陷。

我们MoCu材料R670的导热性

为LED芯片定制的钼铜材料R670 ,其热导率(TC)为170 W/mK(20℃ 时),高于纯钼的材料(142W/mK)。好处是为蓝宝石基板LED芯片提供更好的散热性。

可供应的钼和钼铜晶圆衬底的最小厚度为0.05毫米,最小直径达300毫米(2英尺)。我们甚至能够供应直径达8英寸或更大的晶圆衬底。我们乐意为您提供少量样品进行测试。晶片衬底的粗糙度和平整度对与半导体层的键合制程产生决定性影响。我们提供适用于不同工艺的表面处理,请与我们联系。

6.7 ppm/K
这是一位在LED行业上举足轻重的人物:在两分钟内,北美电子业的市场营销经理 Jim Palombo 将在这里为您介绍。

如您需要,我们制造的钼和钼铜晶圆衬底可以镀膜。例如,我们的镍-金镀层具有抗氧化性,并可防止衬底受到腐蚀。此外,我们的镍-金层是反射层和热沉片的焊接或键合界面。除镍-金镀膜外,我们也提供其他种类镀层,如钌、铬或银镀层。

我们采用PVD工艺镀膜;PVD工艺能保证优异的材料纯度和极佳的镀层均匀性。另外,我们也提供采用电镀工艺的镀膜。

独家供应商提供完美品质

从原材料至成品,我们在内部自主生产散热产品。包括新材料的开发等各产品制造阶段均由我们的自有工厂完成。

氧化物
还原
混合
炼制合金
我们将金属粉末与粉末混合,在高达2吨/平方厘米压力(每平方厘米2吨)下压制成一个“生坯”。当需要生产特别苛刻的几何形状的成品时,我们会确保“生坯”在压制阶段形成适当的形状。
压制
压制
成形

处理
机械
处理
焊合
质量
保证
回收利用
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