适用于外延工艺的部件

外延工艺 MOCVD(金属有机物化学气相沉积)和MBE(分子束外延)在LED芯片和晶体管等部件生产制程中至关重要。通过这些工艺,外延层在基板上沉积。

钼合金TZM制成的锯轴
钼合金TZM制成的锯轴
制成载板
在MOCVD反应器中

外延反应室中的材料必须能承受高达2200 °C的温度。但对于攀时而言这并非难事。我们可用钼、钨、钽及合金生产适用于您的系统的耐高温备件。

  • 熔点更高:钼(熔点2620 °C)、钽(熔点3017 °C)和钨(熔点3420 °C)均为难熔金属,其高熔点使其成为适用于MOCVD和MBE等高温工艺的理想材料。
  • 耐腐蚀性:钼、钽和钨在各种大气层以及甚至在极高温度条件下都具备耐腐蚀性。

氨气

直到1 000 °C (1 273 K)
不会发生反应
超过 1 000 °C (1 273 K)
表面可能会氮化
直到1 000 °C (1 273 K)
不会发生反应
超过 1 000 °C (1 273 K)
表面可能会氮化

惰性气体

达到非常高的温度时
也不会发生反应
达到非常高的温度时
也不会发生反应

二氧化碳

1200 °C (1 473 K)以上时氧化1200 °C (1 473 K)以上时氧化
一氧化碳1400 °C (1473 K)以上时氧化1400 °C (1473 K)以上时氧化
1100 °C (1373 K)以上时发生渗碳作用1100 °C (1373 K)以上时发生渗碳作用
空气和氧气超过400 °C (673 K)氧化
超过 600 °C (873 K)时升华
超过500 °C (773 K)氧化
超过 850 °C (1123 K)时升华
氮气达到非常高的温度时
也不会发生反应
(也适用于纯钨)
达到非常高的温度时
也不会发生反应
(也适用于纯钨)
水蒸汽超过700 °C (973 K)
时发生氧化
超过700 °C (973 K)
时发生氧化
氢气达到非常高的温度时
也不会发生反应
(注意露点)
达到非常高的温度时
也不会发生反应
(注意露点)
  • 极高的纯度:在运行期间,反应腔备件中的杂质可能也会污染外延层。为保证外延层的质量及LED或晶体管的工作效率,我们的材料必须不含杂质。我们可保证99.97%以上的纯度。
  • 低蒸汽压:我们的材料是高真空和超高真空应用的理想选择。
钼与钨的蒸汽压

特殊的抗形变要求?

钼和钨即使在高温下,甚至频繁的冷却加热循环时,也能保持形态,利用TZM、WVM、ML和WL等特殊合金,我们已进一步延长了材料的使用寿命,其为这些合金具有出色的耐蠕变性和材料强度。

攀时网上商店

还等什么?我们的难熔金属带材、板材、棒材与丝材可以现在就从网上订购。请点击www.shop.plansee.com查看。

Your contact person
以下地区联系人:
Jim Palombo
联系电话:
+1 508 918 1230
Jim Palombo