用于离子注入的部件与元件

离子注入是生产半导体过程中的一项重要工艺。离子注入机在晶片中掺入“外来原子”,以改良材料特性,如:导电性或晶体结构。离子注入机系统的核心为光径。离子在这里产生、集中、急剧加剧并在引导下高速涌向晶片。

离子注入器元件
我们用于离子注入器的2000种元件之一。

高达1400 °C的温度,强电磁场,腐蚀性工艺气体和强大的机械力对传统材料而言会产生问题。但对我们的产品则不会。我们采用钼、钨、石墨或陶瓷制成的耐热元件完美整合了防腐性、材料强度、高热导率和绝对纯度等特性,性能优越。每条光径中有100或更多个攀时元件在工作。其确保了离子的高效产生,在通往晶片的光径上离子受精确指引且不含杂质。

离子束离子注入器

凭借精度精确至千分之一毫米,以及我们在半导体行业中30多年的经验,我们生产严格符合OEM(原始设备生产商)标准的元件,或在我们设于日本和美国的生产基地进一步开发这些元件。因为对于客户而言,攀时的零备件不仅仅是零件。以设备生产商的原装备件作为起点,我们对其几何尺寸及材料组成进行优化。您能享受以下优势:

  • 简化部件安装和拆卸
  • 延长使用寿命
  • 降低清洁成本
  • 减少维护工作量
  • 缩短停工时间

我们深知,质量重现性对于您工艺的重要性,这也是我们必须保证优异质量的原因所在,我们始终如一地秉持这一原则。我们自1921年起开始生产高性能材料,并自行负责生产工艺中的每个阶段,从金属粉末到最终成品。所有离子注入机元件必须通过严格的质量控制方可出厂。

攀时产品

  • 腔室(石墨、钨、钼和合金)
  • 灯丝(钨和钨合金)
  • 弧缝(石墨、钨、钼和合金)
  • 夹具(钨、钼和合金)
  • 阴极(钨、钼和合金)
  • 终端站(石墨)
  • 分析仪元件(石墨)
  • 绝缘体(陶瓷)
  • 零备件(石墨、钨、钼和合金、陶瓷、钢)
石墨制成的离子注入部件
石墨制成的离子注入部件
石墨制成的离子注入部件

百余种注入系统:独家替换

无论老旧型号还是最新系统,中电流或高电流都没有关系:我们能够为您提供完美的替换零件以及系统升级。让您能够最大限度的利用离子注入工具的全部功能。请与我们联系。就算您的离子注入机型号不在下面型号表中也没关系。

AIBT: istar

应用材料: 9000, 9200, 9200xR, 9500, 9500xR, Quantum, Quantum I, Quantum II, Quantum III, Quantum X, Quantum X+, Quantum xR, xR, xR/Leap, xR120, xR200, xR80

Varian 半导体设备 (现今应用材料): VIISta Trident, PLAD, VIISta HCS, VIISta HCP +/I, VIISta 80, E1000, VIISion 200, VIISion 200+, VIISion 80+, VIISta HC, 120-10, 120XP, 160XP, 180XP, 80XP, VIISta 3000, Genus, Kestrel, VIISta 810 XE/XER, VIISta 900 XPT, VIISion, E220, E500, VIISta 810, VIISta 810 XE, VIISta 900, VIISta 900XP, 300D, 300XP, 350D

Axcelis: GSD HC (200/200E/200E2), HC3, Ultra, Eterna, GSD 100, GSD 160A, GSD 200E, GSD 200E^2, GSD HC, GSD HC3, GSD III, GSD III LE, GSD LED, NV GSD, NV 10-160, NV 10-180, NV 10-80, Optima HD, ULE, Ultra, GSD HE, GSD VHE, GSD HE, GSD HE3, GSD VHE, Optima XE, Paradigm XE, NV 3206/3204, NV 6200, NV 8200, NV 8250, Optima MD

Nissin: NH80, PR80, Exceed 3000, CLARIS, EXCEED2000A/2000AH, EXCEED2300AV, EXCEED3000AH, EXCEED9600A, NH20, NH45

SEN: NV-GSD-160A, NV-GSD-80A, NV-GSDIII, NV-GSDIII-180, SD, NV-GSDIII-90E, NV-GSDIII-LE, NV-GSDIII-LE, V-GSD-HC, LEX, LEX3, SHX, NV-GSD-HE, NV-GSD-HE3, MC3MC3-II, NV-MC3

Ulvac: IH-860, IDZ-7000, IDZ-8001, IDZ-9001, IM-200, IW-630

请您来查看我们的网上产品目录,包括OEM规格的注入器元件以及攀时自身设计的各式部件,这些产品不但使用寿命更长,而且操作简单: ionimplant.plansee.com.

对现有客户来说这一目录还提供了额外的功能。可以审查未完成与已完成的订单,此外客户还能得到送货的详情以及下载发票。您可以即刻通过ionimplantation(at)plansee.com联系我们并获得您的个人登录信息。

实例?使用攀时MRS叶片,助您节省成本。

只要我们发现任何改进标准、为客户节省时间和金钱的可能性,我们就会提供先进的标准解决方案。以设备制造商的原装备件为起点,我们对几何尺寸和材料成分进行优化。如果您想对我们的产品进行测试,我们将竭诚为您提供帮助。您经改良后的零备件能以非常经济的价格进行试验,从而能完全让您放心。

符合OEM标准的MRS板
符合OEM标准的MRS板
改良设计后使用寿命延长
改良设计
延长使用寿命

在IIP工艺中,MRS叶片滤出电荷或质量不正确的离子。只有通过质量分辨槽的离子才能在通向晶片的路径上继续前行。MRS叶片受到因离子束碰撞而产生的磨损。侧面角度可减小磨损。但是IIP工艺还涉及化学反应,而且磨损越大,相应表面上的角度越尖锐。作为折衷方案,在OEM标准零件中采用92 °的角度。

我们不满足于进行折衷方案,进一步改进了原装零件:为此,我们将以最大力量进行碰撞的离子束所在区域建成接近直角。与之相反,制作边缘区域——主要受化学反应和热反应的影响时,角度很小。

为确保向客户提供完美的产品,我们对所用材料非常挑剔。传统石墨晶粒纹理极粗糙,在工艺中会形成大量颗粒。对于结构特别微小的电气元件制造商而言,这类杂质会产生严重问题。我们为客户提供非常坚硬耐用的石墨。其磨损性大大降低,从而减少工艺中颗粒的形成。

我们在攀时进行的改进成果为客户带来很多益处。先进的标准MRS叶片与传统OEM模型相比,使用寿命可延长三倍。

三种级别的石墨。

为什么我们要用三种不同的材料级别来区分用石墨制成的离子注入部件? Dr. Thomas Werninghaus博士将在两分钟内对您进行讲解。

如您有相关意向,我们将随时为您提供服务。

想法只有付诸实践才有价值。告诉我们您正面临的挑战。我们的IIP专家可在全球范围内为您提供服务。我们将在48小时之内到达。保证为您提供优质服务!

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Gerhard Dürrhammer
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