イオン注入装置部品

イオン注入は半導体の製造における重要なプロセスです。伝導性や結晶構造などの材料特性を変えるために、イオン注入装置がウエハーにイオンをドープします。 注入システムの中核となるのはビームラインです。ここでイオンが生成、集束、加速されて、高速でウエハーに誘導されます。

イオン装置用パーツ
2,000を超えるイオン装置用パーツのひとつ

最高1400°Cに及ぶ高温、強い電磁場、浸食性の高いプロセスガス、強力な機械的負荷を受ける過酷な環境において、従来の材料では問題を引き起こします。しかし、プランゼーの高融点金属はそれらを問題としません。モリブデン、タングステン、グラファイト、セラミックを原材料とするプランゼーの耐熱部品は、耐食性、材料強度、高い熱伝導性、高純度の理想的な組み合わせにより、きわだった性能を誇ります。個々のビームライン上において100個以上のプランゼーの部品が使用されています。これらの部品によって、イオンが効率的に生成され、正確に誘導され、ウエハーに至るビームライン上に不純物を混入させないことが可能です。

イオンビーム イオン注入装置

1000分の1ミリ単位の加工精度を誇り、半導体産業において30年以上の実績を持つプランゼーは、OEM規格に正確に準拠する部品を、日本と米国を生産拠点とし、開発、生産しています。お客様にとって、プランゼーのスペアパーツは、装置メーカーの純正品より重要な意味を持ちはじめています。装置メーカーのオリジナルのスペアパーツをベースにして、部品の形状と材料組成を最適化し、次のような付加価値を上げます。

  • 部品の取付・取外しの簡略化
  • 長寿命化
  • クリーニングコストの節約
  • 保守作業の軽減
  • ダウンタイムが短縮する

私たちはイオン注入工程にとって品質管理がいかに重要かを理解しています。そのため、品質を均一なレベルに保つことを心がけています。高品質の理由は、1921年から続く材料の製造でつちかったノウハウから、金属粉末から最終製品まで、生産プロセスのあらゆる段階で管理されているためです。厳しい品質管理に合格した製品だけが工場から出荷されます。

プランゼー製品

  • アークチャンバ(グラファイト、タングステン、モリブデン、合金)
  • フィラメント (タングステン、タングステン合金)
  • フロントスリット(グラファイト、タングステン、モリブデン、合金)
  • フィラメントホルダー (グラファイト、モリブデン、合金)
  • カソード (タングステン、モリブデン、合金)
  • エンドステーション(グラファイト)
  • アナライザー部品(グラファイト)
  • インシュレーター (セラミック)
  • スペアパーツ(グラファイト、タングステン、モリブデン、合金、セラミック、鋼)
グラファイト製イオン注入装置用部品
グラファイト製イオン注入装置用部品
グラファイト製イオン注入装置用部品

100を超える注入システム。交換部品のスペシャリスト。

現在ご使用のモデルが旧式、最新式、中電流、高電流などは問題ではありません: 当社では理想的な交換部品とアップグレードシステムをご用意しております。 イオン注入装置用パーツを最大限にご活用ください。お客様のイオン注入装置名がリストにない場合はご相談ください。

AIBT: istar

Applied Materials: 9000, 9200, 9200xR, 9500, 9500xR, Quantum, Quantum I, Quantum II, Quantum III, Quantum X, Quantum X+, Quantum xR, xR, xR/Leap, xR120, xR200, xR80

Varian Semiconductor Equipment (now Applied Materials): VIISta Trident, PLAD, VIISta HCS, VIISta HCP +/I, VIISta 80, E1000, VIISion 200, VIISion 200+, VIISion 80+, VIISta HC, 120-10, 120XP, 160XP, 180XP, 80XP, VIISta 3000, Genus, Kestrel, VIISta 810 XE/XER, VIISta 900 XPT, VIISion, E220, E500, VIISta 810, VIISta 810 XE, VIISta 900, VIISta 900XP, 300D, 300XP, 350D

Axcelis: GSD HC (200/200E/200E2), HC3, Ultra, Eterna, GSD 100, GSD 160A, GSD 200E, GSD 200E^2, GSD HC, GSD HC3, GSD III, GSD III LE, GSD LED, NV GSD, NV 10-160, NV 10-180, NV 10-80, Optima HD, ULE, Ultra, GSD HE, GSD VHE, GSD HE, GSD HE3, GSD VHE, Optima XE, Paradigm XE, NV 3206/3204, NV 6200, NV 8200, NV 8250, Optima MD

Nissin: NH80, PR80, Exceed 3000, CLARIS, EXCEED2000A/2000AH, EXCEED2300AV, EXCEED3000AH, EXCEED9600A, NH20, NH45

SEN: NV-GSD-160A, NV-GSD-80A, NV-GSDIII, NV-GSDIII-180, SD, NV-GSDIII-90E, NV-GSDIII-LE, NV-GSDIII-LE, V-GSD-HC, LEX, LEX3, SHX, NV-GSD-HE, NV-GSD-HE3, MC3MC3-II, NV-MC3

Ulvac: IH-860, IDZ-7000, IDZ-8001, IDZ-9001, IM-200, IW-630

当社のオンライン製品カタログをお試しください: ionimplant.plansee.com
この新しいカタログは、OEM同等品質の標準部品及びロングライフ、取り扱いの簡易化を考慮しプランゼーが独自に設計した部品やアセンブリをご確認いただけます。

従来のお客様にとっては、このカタログにはこれまでにない便利さがあります。ご注文内容の確認や納品実績、出荷詳細の確認およびインボイスのダウンロードができます。まずはお客様のログイン情報をご確認ください。
お問い合わせ先: ionimplantation(at)plansee.com

先進基準ソリューション: MRS vane

純正部品を改良して、半導体製造における時間とコストを節約する可能性があることがわかれば、プランゼーは先進基準ソリューション(Advanced Standard Solutions)を開発します。装置メーカーの純正部品をベースにして、部品の形状と材料組成を最適化します。最適化された性能にご興味がありましたら、まずはご連絡ください。当社の先進基準ソリューションをご試用いただけます。そして、品質に納得していただくことができるでしょう。

純正品に準拠したMRS電極(plate)
純正品に準拠したMRS電極(plate)
長寿命化改良品
改良されたデザイン
長寿命化

IIPプロセスでは、MRS vaneが不適切な電荷や質量を持ったイオンを除去します。質量分解スロットを通過したイオンのみがウエハーに至るパスを進むことができます。MRS vaneはイオンビームの衝突による摩耗にさらされます。側面に角度をつけることで、この摩耗は最小限に抑えられます。ただし、IIPプロセスには、化学反応と化学的摩耗も付き物です。イオンビームにさらされる表面の角度が鋭角であるほど、化学反応の及ぼす影響は増大します。両方の要件の妥協点として、純正部品では92°という角度が使用されています。

当社ではその妥協をなくすため、純正部品にさらに改良を加えました。イオンビームが最も勢いよく衝突する部分を直角にし、それと対照的に、化学反応や熱反応の影響が大きい端の部分の角度を浅くしました。

お客様に高品質製品をお届けするために、プランゼーでは使用する材料にもこだわっています。従来のグラファイトはきわめて粒子が粗いため、処理中に大量の微粒子が形成されることがあります。特に微細な構造を持つ電気部品にとって、この種の不純物は大きな問題になります。当社では、お客様に高硬度で緻密なグラファイトを提供しています。このグラファイトは、従来のグラファイトよりはるかに摩耗の影響を受けにくいため、処理中の微粒子の形成が軽減されます。

プランゼーの提案する改良は、お客様に大きな意味をもたらします。たとえば改良したMRS vaneは、従来のOEMモデルより最大3倍長持ちします。

グラファイトの3つの品質等級

どうしてイオン注入機に3つのグラファイトの品質等級が必要なのでしょうか?Dr. Thomas Werninghausが2分でご説明いたします。

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プランゼーの担当者は皆様からのご連絡をお待ちしております!

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