Новый GSD-источник от Plansee: новые преимущества благодаря глубокой модернизации конструкции.

GSD — это широко известная имплантационная система производства Axcelis. Plansee располагает соответствующими имплантационными источниками для всех поколений систем GSD. На основании обратной связи от многих пользователей за последние несколько лет было у

«Многократные запросы и обратная связь от операторов систем продемонстрировали участки отдельных компонентов, которые можно улучшить для продления срока службы имплантационного источника GSD», — объясняет Кевин Чиватакарн из отдела электрографии Plansee в Калифорнии. «Вместо улучшения отдельных компонентов по мере возникновения необходимости мы полностью переработали весь источник. Результатом является полностью оптимизированный GSD-источник, для разработки которого были предприняты все меры для обеспечения его идеально гармоничной работы», — продолжает он. Инженеры компании Plansee внедрили большое число изменений для улучшения имплантационного источника GSD. Особое внимание было уделено «галогенному циклу».

Сокращенный галогенный цикл

 

В плазме ионного источника атомы фтора реагируют с вольфрамом, образуя вольфрамовые галоидные соединения. Эти молекулы разделяются при высоких температурах, и вольфрам осаждается на более холодных участках ионного источника. За счет этого галогенного цикла вольфрамовые компоненты в ионном источнике быстро подвергаются эрозии, что приводит к осаждению тяжелых вольфрамовых отложений на более холодных участках источника, что приводит к замыканию и может повлечь за собой отказ источника. Разность высоких температур — один из важнейших факторов в галогенном цикле.


В плазме ионного источника атомы фтора реагируют с вольфрамом, образуя вольфрамовые галоидные соединения. Эти молекулы разделяются при высоких температурах, и вольфрам осаждается на более холодных участках ионного источника. За счет этого галогенного цикла вольфрамовые компоненты в ионном источнике быстро подвергаются эрозии, что приводит к осаждению тяжелых вольфрамовых отложений на более холодных участках источника, что приводит к замыканию и может повлечь за собой отказ источника. Разность высоких температур — один из важнейших факторов в галогенном цикле.

Пониженные отложения материала и газовые потери

 

Наряду с галогенным циклом основной проблемой представляется отложение материала на камере. Это происходит, когда частицы компонентов высвобождаются с поверхности камеры и оседают на изолирующих компонентах. Plansee изменила конструкцию катода для снижения отложений материала на критически важных участках камеры ионного источника. Конструкция снижает не только количество отложений материала, но и газовые потери из камеры, что приводит к сокращению затрат для операторов систем.

 

Упрощенная установка

 

Даже отражатель был доработан. Компания Plansee преобразовала узел, состоящий из многих компонентов, в простую конструкцию из 4 составных частей, которую можно легко установить и заменить. Вместе с тем с новой конструкцией не только проще работать, но в ней также увеличена длина газовых каналов — дополнительный фактор, еще больше снижающий газовые потери.

При этом самонастраивающаяся система автоматически устанавливает оптимальный зазор между катодом и катушкой, что служит свидетельством того, насколько проще устанавливать систему.

 

Новый GSD-источник от Plansee является чрезвычайно адаптируемым. Plansee предлагает катоды и отражатели различной толщины, а источники доступны в испаряющейся и неиспаряющейся модификациях для эксплуатации с высоким и низким током. Их можно использовать в действующих системах и устанавливать в стандартное крепление в GSD.


«Наиболее важным аспектом является то, что наша конструкция увеличивает срок службы источника и увеличивает интервалы технического обслуживания», — говорит Кевин Чиватакарн. «Наша система улучшает распределение температур в камере, позволяет более точно фокусировать плазменный пучок, использует меньшее количество технологического газа и экономит энергию в результате повышенной плотности плазмы. Также повышена устойчивость технологического процесса, что обеспечивает возможность более простой настройки системы. И хотя система обладает несколькими дополнительными преимуществами, которые можно было бы изложить здесь, мы предпочитаем описывать большинство преимуществ нашей системы нашим клиентам при личном общении.» Чиватакарн и его коллеги смотрят будут рады ответить на все ваши вопросы.

 

Получить более подробную информацию по продукции Plansee для ионной имплантации и контактные данные наших экспертов по ионной имплантации