外延工艺 MOCVD 和 MBE 在 LED 芯片、晶体管、太阳能电池和其他光电子部件的制造中起着关键作用。这两种工艺用于生成晶体半导体层。MOCVD 的全称为 Metal Organic Chemical Vapor Deposition（金属有机化学气相沉积）。MBE 的全称为 Molecular Beam Epitaxy（分子束外延）。在这两种工艺中，材料在外延反应室中暴露于极高温度下。我们的耐温性部件由难熔金属制成，可在此处发挥重要作用，确保外延过程可靠、高效。
采用有限元法 (FEM) 进行模拟
定制化设计与量身定制的解决方案相结合
专利涂层工艺
工作温度降低帮助节省成本
使用寿命延长帮助节省成本
每个涂层周期的产量更高
在 MOCVD 系统中，加热元件被加热至 2000°C。在这种高温下，我们的钼和钨高性能材料是各种防护层、气体收集器和加热元件不可或缺的材料。Plansee 供应的不同 MOCVD 部件超过 50 种。我们是公认的 MOCVD 系统原始制造商并积极活跃于备件市场。凭借改进的技术设计和专利涂层，我们的产品现在不仅仅是客户的替代方案。
LED 中的半导体层需要能够以大体上相同的波长传输光。要实现这一点，一个重要先决条件是 MOCVD 系统中的温度均匀分布。温度分布出现任何偏差都会导致随后发出的光的颜色发生变化。我们的工程师通过精心计算，借助有限元法 (FEM) 模拟各个系统的 MOCVD 工艺，来改进我们加热部件的设计。新型部件提高了反应室中的温度均匀性。每个涂层周期的产量提高，保障了客户更高生产力。
我们与客户携手定制化设计加热元件和其他 MOCVD 反应室部件。
模拟及外延工艺用部件
加热元件的发热越有效，需要对它们进行的加热就越少。Plansee 研发了一种能够最大化热输出的专利涂层工艺。
钨基层具有高孔隙率的特点，这大大增大了加热元件的表面。得益于此，加热元件的表面发射率增加，工作温度降低，其使用寿命也延长了几个月。
外延反应室中的材料必须能够耐受最高 2200°C 的温度。这对 Plansee 来说轻而易举。我们以钼、钨和特殊合金为材料，生产了适合您系统的耐温性部件。它们具有以下优势：
| 钼 | 钨 | |
| 氨气 | 最高耐受 1000°C (1273 K) 不发生反应 在温度超过 1000°C (1273 K) 时 可能出现表面氮化 |
最高耐受 1000°C (1273 K) 不发生反应 在温度超过 1000°C (1273 K) 时 可能出现表面氮化 |
| 惰性气体 | 耐受最高温度 不发生反应 |
耐受最高温度 不发生反应 |
| 二氧化碳 | 在温度超过 1200°C (1473 K) 时 氧化 |
在温度超过 1200°C (1473 K) 时 氧化 |
| 一氧化碳 | 在温度超过 1400°C (1673 K) 时 氧化 |
在温度超过 1400°C (1673 K) 时 氧化 |
| 碳氢化合物 | 在温度超过 1100°C (1373 K) 时 发生渗碳作用 |
在温度超过 1200°C (1473 K) 时 发生渗碳作用 |
| 空气和氧气 | 在温度超过 400°C (673 K) 时 氧化 在温度超过 600°C (873 K) 时 升华 |
在温度超过 500°C (773 K) 时 氧化 在温度超过 850°C (1123 K) 时 升华 |
| 氮气 | 耐受最高温度 不发生反应 （也适用于纯钼） |
耐受最高温度 不发生反应 （也适用于纯钨） |
| 水蒸气 | 在温度超过 700°C (973 K)时 氧化 |
在温度超过 700°C (973 K)时 氧化 |
| 氢气 | 耐受最高温度 不发生反应 （注意露点） |
耐受最高温度 不发生反应 （注意露点） |
即使在高温下和暴露于频繁的冷热循环中，钼和钨也不会发生任何变形。我们还使用钛锆钼、晶粒稳定的钨、钼镧和钨镧等特殊合金进一步延长了材料的使用寿命。它们具有出色的抗蠕变性和材料强度。
