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イオン注入

イオン注入用部品とスペアパーツ

イオン注入は、半導体の製造において重要なプロセスです。インプランターシステムは、導電性や結晶構造などの材料特性を変更するために、ウェハーに外国原子をドープします。インプランターシステムの中心となるのがビームパス。ここでイオンを発生させ、集中させ、大幅に加速し、超高速でウェハに集中させます。

耐火性金属を使用した弊社のコンポーネントとスペアパーツは、このプロセスを可能な限り効率的に、正確に、そして不純物のないものにするために役立っています。

一目でわかるメリット:

  • 半導体業界における30年以上の経験

  • メーカーの基準に沿って正確に生産

  • 最高の製品品質

理想的な製品特性

1400℃までの温度、強力な電磁場、アグレッシブなプロセスガス、高い機械的力などは、通常の材料では問題となります。しかし、弊社の製品はそうではありません。モリブデン、タングステン、グラファイト、セラミックで作られた弊社の耐熱コンポーネントは、耐食性、材料強度、良好な熱伝導性、絶対的な純度の理想的な組み合わせを提供します。プランゼーのコンポーネントは、ビームパスごとに100個以上使用されます。これらのコンポーネントは、イオンが効率的に生成され、不純物のないビームパス内のウェーハに正確に焦点を合わせることを保証します。

ビームライン

1,000分の1ミリの精度で、半導体業界で30年以上の経験を持つプランゼーの日本と米国の生産拠点は、メーカーの基準を正確に満たすとともに、コンポーネントをさらに開発しています。結局のところ、プランゼーのスペアパーツは、お客様にとって単なる代替品ではなくなりつつあります。弊社は、システムメーカーの純正のスペアパーツから始めて、形状や材料組成を最適化します。得るもの:

  • コンポーネントの取り付け、取り外しが容易に
  • より高い耐用年数
  • 洗浄コストの低減
  • メンテナンス工数の削減
  • ダウンタイムの低減

お客様のプロセスにとって、再現性のある品質がいかに重要であるかを弊社は知っています。だからこそ、弊社の品質は優れているのです。何度も何度も。その理由は?1921年の創業以来、高機能材料を製造してきた弊社では、金属粉から完成品まで、すべての製造工程を自社で行っています。厳格な品質管理チェックをクリアしたインプランターの部品だけが、弊社の施設を出ることができます。

弊社の製品

  • チャンバー(グラファイト、タングステン、モリブデン、合金)
  • フィラメント(タングステン、タングステン合金)
  • ブレード(グラファイト、タングステン、モリブデン、合金)
  • ブラケット (タングステン、モリブデン、合金)
  • カソード (タングステン、モリブデン、合金)
  • 端子 (グラファイト)
  • 分析器部品(グラファイト)
  • 絶縁(セラミックス)
  • スペアパーツ(グラファイト、タングステン、モリブデンおよび合金、セラミックス、スチール)
イオン注入装置
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100以上のシステムのスペアパーツスペシャリスト

旧モデルでも次世代でも、中電流でも大電流でも、弊社はそれらすべてを熟知しており、当然ながら弊社の製品群の中にお客様に適したスペアパーツがあります。お使いのイオン注入装置の性能をもっと引き出したいと思いませんか?ご連絡ください。自分のシステムがリストに載っていなくても。

AIBT: istar

アプライドマテリアルズ:9000、9200、9200xR、9500、9500xR、Quantum、Quantum I、Quantum II、Quantum III、Quantum X、Quantum X+、Quantum xR、xR、xR/Leap、xR120、xR200、xR80

バリアンセミコンダクターイクイップメント(現アプライドマテリアルズ):VIISta Trident、PLAD、VIISta HCS、VIISta HCP +/I、VIISta 80、E1000、VIISion 200、VIISion 200+、VIISion 80+、VIISion HC、120-10、120XP、160XP、180XP、80XP。VIISTA 3000、Genus、Kestrel、VIISta 810 XE/XER、VIISta 900 XPT、VIISion、E220、E500、VIISta 810、VIISta 810 XE、VIISta 900、VIISta 900XP、300D、300XP、350D

Axcelis: GSD HC(200/200E/200E2)、HC3、Ultra、Eterna、GSD 100、GSD 160A、GSD 200E、GSD 200E^2、GSD HC、GSD HC3、GSD III、GSD III LE、GSD LED、NV GSD、NV 10-160。NV 10-180、NV 10-80、Optima HD、ULE、Ultra、GSD HE、GSD VHE、GSD HE、GSD HE3、GSD VHE、Optima XE、Paradigm XE、NV 3206/3204、NV 6200、NV 8200、NV 8250、Optima MD

Nissin: NH80、PR80、Exceed 3000、CLARIS、EXCEED2000A/2000AH、EXCEED2300AV、EXCEED3000AH、EXCEED9600A、NH20、NH45

SEN: NV-GSD-160A、NV-GSD-80A、NV-GSDIII、 NV-GSDIII-180、SD、NV-GSDIII-90E、NV-GSDIII-LE、NV-GSDIII-LE、V-GSD-HC、LEX、LEX3、SHX、NV-GSD-HE、NV-GSD-HE3、MC3MC3-II、NV-MC3

Ulvac: IH-860、IDZ-7000、IDZ-8001、IDZ-9001、IM-200、IW-630

オンライン製品カタログをご覧ください。ここでは、OEM品質のインプランターのスペアパーツや、プランゼーが設計した、耐用年数が長く、取り扱いが簡単なコンポーネントをご紹介しています。製品カタログには、既存のお客様向けの追加機能があり、ご注文、配送状況、請求書などをご覧いただけます。

個人的なログインについては、ionimplantation(at)plansee.com までお問い合わせください。

イオン注入装置部品の製品カタログへ

プランゼーでコスト削減

標準を高めてお客様の時間とコストを節約する機会があれば、先進的な標準ソリューションを提供します。弊社は、システムメーカーの純正のスペアパーツから始めて、形状や材料組成を最適化します。弊社を試してみませんか?弊社は喜んでお引き受けします。改良されたスペアパーツを、非常に経済的な価格でお試しいただけます。このようにして、あなたは絶対的な確信を持つことができるのです。

OEM規格のMRSプレート

MRSベーンは、IIPプロセスにおいて、正しい電荷や質量を持たなくなったイオンをフィルタリングします。質量分析スロットを通過したイオンだけが、ウェハーへの道を進みます。MRSベーンは、イオンビームの衝突による摩耗にさらされます。側面に角度をつけることで、この摩耗を最小限に抑えています。しかし、IIPプロセスには化学反応や摩耗がつきもので、表面の角度が鋭くなればなるほど、その影響は大きくなります。妥協して、OEM標準品では92°の角度を採用しています。

長寿命化のための設計改善

しかし、弊社は妥協することなく、純正部品をさらに改良しました。それは、イオンビームが最も力強く衝突する部分をほぼ直角に構成することです。これに対し、化学反応や熱反応の影響を受けやすいエッジ部分は、浅い角度でしか作られていないのです。

材料は同じものではない

お客様に最適な製品をお届けするために、材料にもこだわっています。従来の黒鉛は粒度が非常に粗く、加工時に高レベルの粒子形成が発生する可能性がありました。特に微細な構造を持つ電子コンポーネントメーカーにとって、このような不純物は大きな問題となります。弊社がお客様に提供するのは、特に硬くて頑丈な黒鉛です。この黒鉛は摩耗に弱く、その結果、プロセス中の粒子の発生を抑えることができます。また、プランゼーで行っている改良は、お客様にも大きなメリットをもたらします。Advanced Standard MRSのベーンは、従来のOEMモデルに比べて最大3倍も長持ちします。

興味がありますか?弊社はあなたのためにここにいます。

アイディアは実践してこそ意味があります。あなたが直面している課題を教えてください。弊社のIIPスペシャリストが世界中で活躍しています。直接現場に行く必要がありますか?それは問題ではありません。48時間以内にお伺いします。保証します!