이온 주입은 반도체 생산에서 중요한 공정입니다. 주입기 시스템은 외부 원자로 웨이퍼를 도핑하여 전도성 또는 결정 구조와 같은 소재 속성을 변형합니다. 빔 패스는 주입기 시스템의 중심입니다. 바로 여기에서 이온이 발생, 농축되고 매우 가속된 후 아주 고속에서 웨이퍼에 집중됩니다.
고융점 금속으로 제작된 당사의 구성요소와 예비 부품은 이 공정을 최대한 효율적이고 정밀하며 불순물이 없도록 돕습니다.
반도체 산업에서 30여 년의 경험
제조업체 표준에 따른 정밀 생산
최고의 제품 품질
최고 1400°C의 온도, 강한 전자기장, 험한 공정 가스, 높은 기계적 힘은 일반적인 소재들에게는 문제가 됩니다. 당사의 제품에는 그렇지 않지만요. 몰리브덴, 텅스텐, 흑연, 세라믹으로 제작된 당사의 내열 구성요소는 내부식성, 소재 강도, 훌륭한 열전도성과 절대 순도를 이상적으로 결합하여 제공됩니다. 하나의 빔 패스에는 백여 가지의 Plansee 구성요소들이 이용됩니다. 이 요소들은 이온이 효율적으로 발생하여 불순물 없이 빔 패스의 웨이퍼에 정밀하게 맺히도록 합니다.
수천분의 일 밀리미터까지 가는 정확성과 반도체 분야에서 30년이 넘는 경험을 통해 당사는 일본과 미국의 생산 부지에서 제조업체들의 표준을 정밀하게 충족하면서 그 이상으로 당사의 구성요소를 개발합니다. 이렇게 Plansee의 예비 부품들은 고객에게 점점 더 그냥 얼마든지 교체할 수 있는 것 이상의 의미가 되고 있습니다. 당사는 시스템 제조업체의 정품 교체 부품에서 시작하여 그 후에 기하학적 형태와 소재 조성을 최적화합니다. 누리실 수 있는 이점:
여러분의 공정에 재생산 가능한 품질이 얼마나 중요한지 저희는 잘 알고 있습니다. 그렇기 때문에 당사의 품질이 훌륭한 것입니다. 계속 다시 할 수 있기 때문이죠. 어떻게 하냐고요? 당사는 1921년부터 고품질 소재를 생산해왔으며 금속 분말부터 완제품까지 전체 생산 공정을 자체적으로 유지하고 있습니다. 또한 당사의 엄격한 품질 관리 점검을 만족한 주입기 부품만을 출고하고 있습니다.
기존 모델이든 차세대 모델이든, 중간 전류든 고전류든 상관 없습니다. 당사는 전부 알고 있으며 따라서 당연히 그 범위에 맞는 예비 부품 또한 준비해 두고 있습니다. 이온 주입기를 더욱 잘 활용하고 싶으십니까? 연락주십시오. 목록에 찾으시는 시스템이 없더라도요.
AIBT: istar
적용된 소재: 9000, 9200, 9200xR, 9500, 9500xR, Quantum, Quantum I, Quantum II, Quantum III, Quantum X, Quantum X+, Quantum xR, xR, xR/Leap, xR120, xR200, xR80
바리안 반도체 장비 (현재 적용된 소재): VIISta Trident, PLAD, VIISta HCS, VIISta HCP +/I, VIISta 80, E1000, VIISion 200, VIISion 200+, VIISion 80+, VIISta HC, 120-10, 120XP, 160XP, 180XP, 80XP, VIISta 3000, Genus, Kestrel, VIISta 810 XE/XER, VIISta 900 XPT, VIISion, E220, E500, VIISta 810, VIISta 810 XE, VIISta 900, VIISta 900XP, 300D, 300XP, 350D
Axcelis: GSD HC (200/200E/200E2), HC3, Ultra, Eterna, GSD 100, GSD 160A, GSD 200E, GSD 200E^2, GSD HC, GSD HC3, GSD III, GSD III LE, GSD LED, NV GSD, NV 10-160, NV 10-180, NV 10-80, Optima HD, ULE, Ultra, GSD HE, GSD VHE, GSD HE, GSD HE3, GSD VHE, Optima XE, Paradigm XE, NV 3206/3204, NV 6200, NV 8200, NV 8250, Optima MD
Nissin: NH80, PR80, Exceed 3000, CLARIS, EXCEED2000A/2000AH, EXCEED2300AV, EXCEED3000AH, EXCEED9600A, NH20, NH45
SEN: NV-GSD-160A, NV-GSD-80A, NV-GSDIII, NV-GSDIII-180, SD, NV-GSDIII-90E, NV-GSDIII-LE, NV-GSDIII-LE, V-GSD-HC, LEX, LEX3, SHX, NV-GSD-HE, NV-GSD-HE3, MC3MC3-II, NV-MC3
Ulvac: IH-860, IDZ-7000, IDZ-8001, IDZ-9001, IM-200, IW-630
당사의 온라인 제품 카탈로그를 살펴보십시오. 당사의 OEM 품질 주입기 예비 부품과 개선된 서비스 수명과 더욱 쉬운 취급을 위해 Plansee에서 설계한 구성요소들이 나와있습니다. 제품 카탈로그에는 기존 고객을 위한 추가적인 특성이 소개되어 있으며, 여기에서 주문, 배송 상태, 송장을 조회하실 수 있습니다.
개별 로그인이 필요하시면 ionimplantation(at)plansee.com으로 연락해 주십시오.
표준을 올리고 고객에게 시간과 비용을 절약해드릴 수 있는 기회를 발견할 때마다 당사는 더욱 높은 표준 솔루션을 제시할 것입니다. 당사는 시스템 제조업체의 정품 교체 부품에서 시작하여 그 후에 기하학적 형태와 소재 조성을 최적화합니다. 테스트를 해보고 싶으십니까? 무조건 기쁘게 해드릴 것입니다. 매우 경제적인 가격으로 개선된 예비 부품을 시험해보실 수 있을 것입니다. 그러면 완전히 확신하실 수 있겠지요.
IIP 공정의 MRS 베인 필터는 올바른 전하나 질량을 지니지 않게된 이온을 걸러냅니다. 질량 분해능 슬롯을 통과한 이온만이 계속 웨이퍼로 가는 경로에 있을 수 있게 됩니다. 이 MRS 베인은 이온 빔의 충돌로 인한 마모에 노출되게 됩니다. 측면의 각도가 이런 마모를 최소화합니다. 하지만 IIP 공정에는 화학 반응과 피로 또한 포함되는데, 이런 모든 효과가 클수록 관련 표면의 각 또한 더 예리해집니다. 그래서 OEM 표준 부품에서는 92°의 각도를 그 타협점으로 이용하고 있습니다.
하지만 당사는 이런 타협에 만족하지 않고 정품 부품을 더욱 개선하였습니다. 거의 올바른 각도와 맞먹는 가장 큰 힘으로 이온 빔이 충돌하는 영역을 재설계한 것입니다. 반면에 화학 반응과 열 반응의 영향을 주로 받는 가장자리 공간은 얕은 각도로만 제작합니다.
고객들에게 완벽한 제품을 확실히 공급하기 위해 당사는 자체적으로 사용하는 소재들에 대해서도 매우 바쁘게 일하고 있습니다. 기존의 흑연은 매우 입자가 거칠어 공정 도중에 입자가 많이 형성될 수 있었습니다. 특히 작은 구조와 관련한 전자부품 제조업체들에게는 이런 불순도가 중대한 문제를 일으킬 수 있습니다. 당사는 특히 단단하고 견고한 흑연을 제공합니다. 이것은 마모에 확연히 덜 취약하며 그 결과 공정 도중 입자의 변형을 줄여줍니다. Plansee의 개선 사항은 고객들에게 아주 큰 혜택을 선사합니다. 개선된 표준 MRS 베인은 기존의 OEM 모델들보다 최대 3배 더 길게 유지됩니다.
아이디어를 잘 실현하려면 그 방식이 좋아야합니다. 어떤 어려움이 있는지 말씀해 주십시오. 당사의 IIP 전문가들이 전 세계에서 활동하고 있습니다. 현장에 직접 저희가 필요하십니까? 문제 없습니다. 48시간 이내에 가 드리겠습니다. 약속드립니다!
