钨钛的应用领域
钨钛 (WTi) 含有 10% 的钛(重量百分比),用作微芯片金属化的扩散阻挡层和粘合剂。在该应用领域,钨钛将半导体和金属化层分离,例如将铝或铜和硅分离。如果没有扩散阻挡层,铜和硅会在微芯片中形成金属间相,从而削弱半导体的功能。在柔性薄膜太阳能电池 (CIGS) 中,钨钛阻挡层能够防止钢基体中的铁原子通过钼背触点扩散到 CIGS 半导体中。每克电池中仅若干微克的铁含量就能显着降低 CIGS 太阳能电池的效率。
钨密度高,钛具有良好耐腐蚀性和表面附着性,并且两种金属具有良好掺混性,因此钨钛可作为理想的薄层材料。这可以防止外来原子的扩散。
高纯度
> 99.95%
高密度
> 98%
同质微观结构
由于材料密度最大,
溅射速度高
由于微观结构得到优化,溅射速率一致
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钨钛 (WTi) 含有 10% 的钛(重量百分比),用作微芯片金属化的扩散阻挡层和粘合剂。在该应用领域,钨钛将半导体和金属化层分离,例如将铝或铜和硅分离。如果没有扩散阻挡层,铜和硅会在微芯片中形成金属间相,从而削弱半导体的功能。在柔性薄膜太阳能电池 (CIGS) 中,钨钛阻挡层能够防止钢基体中的铁原子通过钼背触点扩散到 CIGS 半导体中。每克电池中仅若干微克的铁含量就能显着降低 CIGS 太阳能电池的效率。
左面和下面的两幅图分别为使用钨钛层的 CIGS 太阳能电池(左)和倒装芯片半导体金属化(下)的结构示意图。
钨钛层应用示例
我们采用创新的粉末冶金生产工艺生产钨钛溅射靶。我们可提供各种尺寸的钨钛溅射靶,直径可达到 400 mm。我们也是最早生产钨钛的制造商之一,其不仅可以用作平面靶,还可以用作旋转靶。我们的钨钛靶材的钛含量通常为 10%(重量百分比)。
密度 | ≥ 98% |
纯度 | > 99.95% |
钛含量 | 10 wt% |
钛分布的均匀性 | ± 0.5% |
微观结构 | 细晶粒,< 50 µm grain size>d> |
涂层材料越纯,涂层的质量就越好。从一开始我们就只使用最精细的粉末,我们在自有设备中混合这些粉末,以确保达到最佳的材料纯度。从粉末到成品,我们对每个步骤进行监控,并确保只出厂密度、纯度和同质微观结构符合要求的靶材。
钨钛层由 PVD 溅射工艺生产。我们以溅射靶的形式提供原材料。我们的材料具有高密度、高材料纯度和均匀的相组成,以确保稳定的涂层工艺。我们在同一屋檐下完成整个生产过程;从金属粉末的混合和压制到靶材的成形、机加工和焊合,我们监督生产过程中的每一步。这意味着我们能够长期持续地保证高质量。我们还开发新材料,以优化涂层工艺和涂层。当然,我们也利用先进的测量方法验证靶材的质量。
详细了解 PVD 工艺是如何进行的:
钨钛靶的高密度与纯度有助于减少涂层工艺中的颗粒形成,这是产生最佳涂层效果的一个重要因素。下面的科学论文研究了颗粒形成和靶材特性之间的关系:
《Journal of Vacuum Science & Technology A》:《Particle contamination during sputter deposition of W-Ti films(钨钛薄膜溅射沉积过程中的颗粒污染)》
《Journal of Vacuum Science & Technology A》:《Quantitative measurement of nodule formation in W-Ti sputtering(钨钛溅射中结瘤形成的定量测量)》
《Powder Metallurgy Review》,J. Winkler,C. Linke:《Sputtering targets: The advantages of Powder Metallurgy in the production(溅射靶:粉末冶金在生产中的优势)》